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  1引言

  金元素由于化學穩定性好、不易氧化等特點,被廣泛應用于電子元器件的電極或焊盤的表面鍍層。航天產品印制板組件生產中,電子元器件通常采用錫鉛共晶合金(Sn63Pn37)軟釬焊的方法裝聯到印制板上。在焊接鍍金元器件過程中,焊點中會形成Au-Sn金屬間化合物(IMC,intermetallic compound),其維氏硬度高達750,呈現明顯脆硬性,這種化合物的存在將導致焊點力學性能大幅下降,嚴重影響電氣連接的可靠性。一般焊點中由于存在Au-Sn化合物而發生脆性斷裂失效的現象稱為“金脆”[1]。研究認為,Au-Sn化合物中當金的含量達到3%時,“金脆”現象會十分明顯[2]。

  對于航天產品,環境要求苛刻且可靠性要求很高,“金脆”現象嚴重影響產品服役期間的可靠性和使用壽命。目前,國內外軍工標準中,為防止“金脆”現象,都規定了鍍金的元器件必須經過去金搪錫處理后方可焊接[3~8]。對鍍金表面的處理問題已經明確提出,并作為禁(限)用工藝項目重點關注。

  QFN(Quad Flat No-lead)封裝芯片是一種典型的無引線表貼元器件,其結構特點有別于FP/QFP芯片等帶有引線的元器件,去金搪錫工作目前存在以下難點:

  a.在沒有特殊工具夾持情況下,無法直接使用錫鍋進行去金搪錫;

  b.手工搪錫,依賴于操作人員的熟練程度,去金搪錫效果一致性差,生產率低;

  c.焊盤密度高、間距小,手工去金搪錫易產生橋連。

  因此,選取具有代表性的QFN封裝芯片,對其去金搪錫工藝技術進行研究,設計不依賴操作人員個體技術水平的去金搪錫工藝方法,對提高生產效率及產品可靠性具有重要意義。

  2去金搪錫工藝方法研究

  在電子裝聯行業中,焊盤(或電極)帶有鍍金層的無引線表貼元器件進行去金搪錫主要有三種方法:電烙鐵手工搪錫、錫鍋搪錫和返修工作站搪錫,三種方法對比如表1所示。

 

 

  從表1中的對比可以看出,使用手工電烙鐵對鍍金焊盤的去金搪錫缺點很多,但目前仍是無引線表貼元器件去金搪錫的主要方法;而使用返修工作站進行去金搪錫的方法,盡管存在對元器件熱沖擊小等優點,但是對于宇航產品使用的元器件來說,多次經歷再流焊卻將極大程度降低元器件的可靠性。因此,根據元器件尺寸和結構研制合適的工裝夾持并保護元器件,使用錫鍋對鍍金焊盤去金搪錫,是航天產品更為合適的工藝方法。

 

 

  圖1為典型的QFN封裝芯片,是六面體結構,底面有陣列焊盤。根據器件結構特點研制的搪錫工裝如圖2所示,工裝采用不銹鋼材料制成,主要由導軌、下托機構、立柱、元器件托板和施壓手柄等組成。其中,元器件托板采用上下夾持芯片的結構形式,下托機構可在導軌上移動,立柱使器件能懸于錫鍋上方,向下按施壓手柄可使元器件浸入錫鍋,完成去金搪錫。

 

 

  使用工裝夾持QFN器件浸入錫鍋進行去金搪錫,搪錫溫度、時間等參數參考元器件手冊設定。搪錫結果如圖3所示,有部分焊盤未能上錫。

 

 

  分析原因,兩方面因素造成這種結果。首先,由于不銹鋼材料不與熔融鉛錫合金反應,在表面張力作用下,熔融鉛錫合金不能在凸臺附近鋪展;其次,在對施壓手柄施加壓力使器件托板浸入液面過程中,必然導致液面下殘留少量空氣,同時,助焊劑受熱過程中產生少量氣體,影響部分焊盤的去金搪錫。

  為解決去金搪錫過程中,氣體因素對焊盤上錫的影響,需要保證焊接過程中及時排出氣體,以免氣體堆積影響焊盤去金搪錫。根據這一要求,采用局部波峰焊機,并設計尺寸合適的噴嘴,使得形成的焊料波峰足以接觸QFN封裝芯片的兩排焊盤。在搪錫過程中,勻速移動元器件,依靠波峰噴涌的力量使去金搪錫過程中產生的氣體及時排出,從而實現所有焊盤的上錫。

  搪錫工裝改進后配合局部波峰焊機進行去金搪錫,如圖4所示。搪錫結果如圖5所示,使用局部波峰焊搪錫后,幾乎所有焊盤均上錫,僅有在凸臺位置的幾個焊盤未能上錫。證明這種方法應是可行的,對于未能上錫的少數焊盤,可以在去金搪錫過程中使凸臺附近的焊盤在波峰停留短暫時間,以便于焊盤上錫。

 

 

  3去金搪錫效果檢測

  在元器件去金搪錫試驗后,使用光學顯微鏡僅能從宏觀上檢查是否有未除盡的金元素,無法量化金元素質量分數,需要采用能譜分析的方法,測量金元素質量分數。

  3.1光學顯微鏡檢驗

  使用局部波峰焊機進行去金搪錫制備的試樣如圖6所示,使用光學顯微鏡檢查結果:a.焊盤完全上錫,無金黃色未去除干凈的部位;b.搪錫焊盤表面潤濕良好,無毛刺、無拉尖現象,錫層厚度均勻,無殘渣和焊劑粘附;c.焊盤間無搪錫橋連;d.搪錫的元器件外觀無損傷、無刻痕,漆層完好,無燒焦、脫落現象,元器件的型號、規格、標志應清晰。

 

 

  3.2能譜分析檢測金元素質量分數

  樣件進行金相剖切后,顯微照片與掃描電鏡照片如圖7所示。

 

 

  對焊盤合金層檢測如圖8所示,去金后,可能含有Au元素的是Sn/Ni合金層和Sn/Pb層,對焊盤這兩層的能譜分析如圖9所示。

 

 

  對試驗樣件中任選的不少于10個焊盤進行檢測,結果表明所測焊盤中Au元素重量百分比均在1%以下。

  4結束語

  本文介紹了QFN封裝芯片無引線表貼元器件去金搪錫的工藝方法,可有效去除焊盤的鍍金層,使金元素質量分數控制在1%以下,達到各軍用標準中的要求,為避免焊接后焊點中出現“金脆”現象提供保證,可極大提高產品在服役期間的可靠性。

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